Toshiba TRS12E65F,S1Q

包装/外壳

TO-220F-2L

安装类型

通孔

供应商器件包装

TO-220-2L

材料

SiC

ECCN (US)

EAR99

Peak Reverse Repetitive Voltage (V)

650

Maximum Continuous Forward Current (A)

12

Peak Non-Repetitive Surge Current (A)

97

Peak Forward Voltage (V)

1.6

Peak Reverse Current (uA)

60

Maximum Power Dissipation (mW)

115000

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

175

Supplier Package

TO-220

Military

无

Mounting

通孔

Package Height

9.08

Package Length

10.05

Package Width

4.45

PCB changed

2

Tab

Tab

Vr - Reverse Voltage

650 V

Ir - Reverse Current

600 nA

Pd - Power Dissipation

115 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Unit Weight

0.067021 oz

Minimum Operating Temperature

-

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

50

Mounting Styles

通孔

Vrrm - Repetitive Reverse Voltage

650 V

Part # Aliases

TRS12E65F,S1Q(S

Manufacturer

Toshiba

Brand

Toshiba

If - Forward Current

12 A

RoHS

Details

Ifsm - Forward Surge Current

97 A

Package

Tube

Base Product Number

TRS12E65

厂商

东芝半导体与存储

Product Status

活跃

包装

Tube

系列

-

类型

肖特基二极管

子类别

Diodes & Rectifiers

技术

SiC

引脚数量

2

配置

Single

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

二极管类型

碳化硅肖特基

反向泄漏电流@ Vr

90 µA @ 650 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.7 V @ 12 A

工作温度 - 结点

175°C (Max)

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

650 V

平均整流电流（Io）

12A

产品类别

Schottky Diodes & Rectifiers

电容@Vr, F

65pF @ 650V, 1MHz

反向恢复时间(trr)

0 ns

产品

肖特基碳化硅二极管

Vf-正向电压

1.45 V

产品类别

Schottky Diodes & Rectifiers

RoHS状态

符合RoHS标准