Toshiba TTC014L1NV

包装/外壳

2-7J1A-3

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

PW-MOLD

Emitter- Base Voltage VEBO

8 V

Pd - Power Dissipation

1 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

100

Collector-Emitter Saturation Voltage

1 V

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

2000

Mounting Styles

SMD/SMT

Manufacturer

Toshiba

Brand

Toshiba

Maximum DC Collector Current

2 A

DC Current Gain hFE Max

200

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

800 V

Package

Tape & Reel (TR)

Current-Collector (Ic) (Max)

1 A

厂商

东芝半导体与存储

Product Status

活跃

系列

TTC014

包装

MouseReel

操作温度

150°C (TJ)

子类别

Transistors

配置

Single

功率 - 最大

1 W

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 100mA, 5V

最大集极截止电流

100nA (ICBO)

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

800 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

900 V

连续集电极电流

1 A

产品类别

Bipolar Transistors - BJT