Toshiba U1ZB39

表面安装

YES

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Package Description

R-PDSO-C2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reference Voltage-Nom

39 V

Operating Temperature-Max

150 °C

Manufacturer Part Number

U1ZB39

Power Dissipation (Max)

1.01 W

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Galaxy Semi-Conductor Co Ltd

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

GALAXY SEMI-CONDUCTOR CO LTD

Forward Voltage-Max (VF)

1.2 V

Risk Rank

5.8

技术

ZENER

端子位置

DUAL

终端形式

C 弯管

JESD-30代码

R-PDSO-C2

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

泽纳电极

最大电压允差

10%

工作测试电流

8 mA

反向电流-最大值

10 µA

动态阻抗-最大值

30 Ω

反向测试电压

31.2 V

电压温度系数

49 mV/°C

达到SVHC

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