1ZB16TPB5
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Toshiba America Electronic Components 1ZB16TPB5

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型号

1ZB16TPB5

utmel 编号

2541-1ZB16TPB5

商品类别

二极管 - 齐纳 - 单

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

DIODE 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor

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1ZB16TPB5 Toshiba America Electronic Components DIODE 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, Transient Suppressor

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1ZB16TPB5详情

Toshiba America Electronic Components 1ZB16TPB5重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 二极管元件材料

    SILICON

  • 终端数量

    2

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    TOSHIBA CORP

  • Package Description

    O-PALF-W2

  • Breakdown Voltage-Nom

    16 V

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    ROUND

  • Package Style

    长式

  • Power Dissipation (Max)

    1 W

  • ECCN 代码

    EAR99

  • HTS代码

    8541.10.00.50

  • 端子位置

    AXIAL

  • 终端形式

    WIRE

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    O-PALF-W2

  • 资历状况

    不合格

  • 极性

    UNIDIRECTIONAL

  • 配置

    SINGLE

  • 二极管类型

    跨压抑制二极管

  • 箱体转运

    ISOLATED

  • 最大非代表峰值转速功率Dis

    200 W

  • 反向电流-最大值

    10 µA

  • 击穿电压-最小值

    14.4 V

  • 击穿电压-最大值

    17.6 V

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技术文档: Toshiba America Electronic Components 1ZB16TPB5.

1ZB16TPB5拓展信息

CMZ36(TE12L,Q,M)
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Toshiba Semiconductor and Storage

DF2S6.8FS
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CRY68(TE85L,Q,M)
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