Toshiba America Electronic Components TK12X53D

Name: TK12X53D
Brand: Toshiba America Electronic Components
SKU: 2541-TK12X53D
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

TK12X53D

品牌

Toshiba America Electronic Components

utmel 编号

2541-TK12X53D

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANSISTOR 12 A, 525 V, 0.58 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-9F1C, SC-97, 4 PIN, FET General Purpose Power

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TK12X53D Toshiba America Electronic Components TRANSISTOR 12 A, 525 V, 0.58 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-9F1C, SC-97, 4 PIN, FET General Purpose Power

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TK12X53D详情

技术参数

Toshiba America Electronic Components TK12X53D重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

4
晶体管元件材料

SILICON
Part Life Cycle Code

生命周期结束
Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP
Part Package Code

SC-97
Package Description

SMALL OUTLINE, S-PDSO-F4
Drain Current-Max (ID)

12 A
Package Style

小概要
Package Shape

SQUARE
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Number of Elements

1
ECCN 代码

EAR99
端子位置

DUAL
终端形式

FLAT
Reach合规守则

unknown
引脚数量

4
JESD-30代码

S-PDSO-F4
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.58 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

48 A
DS 击穿电压-最小值

525 V
雪崩能量等级（Eas）

378 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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