Toshiba America Electronic Components TK40P03M1

Name: TK40P03M1
Brand: Toshiba America Electronic Components
SKU: 2541-TK40P03M1
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

TK40P03M1

品牌

Toshiba America Electronic Components

utmel 编号

2541-TK40P03M1

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: TRANSISTOR 40 A, 30 V, 0.0144 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-7K1S, DPAK-3, FET General Purpose Power

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TK40P03M1 Toshiba America Electronic Components Description: TRANSISTOR 40 A, 30 V, 0.0144 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-7K1S, DPAK-3, FET General Purpose Power

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TK40P03M1详情

技术参数

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Toshiba America Electronic Components TK40P03M1重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

2
晶体管元件材料

SILICON
Part Life Cycle Code

生命周期结束
Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Drain Current-Max (ID)

40 A
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

150 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

小概要
ECCN 代码

EAR99
端子位置

SINGLE
终端形式

鸥翼
Reach合规守则

unknown
引脚数量

3
JESD-30代码

R-PSSO-G2
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

DRAIN
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.0144 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

120 A
DS 击穿电压-最小值

30 V
雪崩能量等级（Eas）

42 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)

40 W

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