Toshiba America Electronic Components TK8B50D

Name: TK8B50D
Brand: Toshiba America Electronic Components
SKU: 2541-TK8B50D
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

TK8B50D

品牌

Toshiba America Electronic Components

utmel 编号

2541-TK8B50D

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Description: TRANSISTOR 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-10R1B, SC-67, 3 PIN, FET General Purpose Power

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TK8B50D Toshiba America Electronic Components Description: TRANSISTOR 8 A, 500 V, 0.85 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-10R1B, SC-67, 3 PIN, FET General Purpose Power

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技术参数

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Toshiba America Electronic Components TK8B50D重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Package Style

FLANGE MOUNT
Package Shape

RECTANGULAR
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Number of Elements

1
Drain Current-Max (ID)

8 A
Package Description

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Part Package Code

SC-67
Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP
Part Life Cycle Code

Obsolete
ECCN 代码

EAR99
端子位置

SINGLE
终端形式

THROUGH-HOLE
Reach合规守则

unknown
引脚数量

3
JESD-30代码

R-PSFM-T3
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

ISOLATED
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.85 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

32 A
DS 击穿电压-最小值

500 V
雪崩能量等级（Eas）

165 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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