Toshiba America Electronic Components TK90S06N1L

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Drain Current-Max (ID)

90 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

ECCN 代码

EAR99

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

参考标准

AEC-Q101

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.0052 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

180 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

95 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

157 W

反馈上限-最大值 (Crss)

350 pF