Toshiba America Electronic Components TPC8115

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

外壳材料

1

Type of module

IGBT

Semiconductor structure

transistor/transistor

Max. off-state voltage

1.2kV

Collector current

25A

Case

MiniSKiiP® 1

Electrical mounting

Press-Fit

Gate-emitter voltage

±20V

Pulsed collector current

75A

Mechanical mounting

screw

Gross weight

35 g

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

TOSHIBA CORP

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8

Drain Current-Max (ID)

10 A

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

拓扑

IGBT three-phase bridge OE output,

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

0.03 Ω

DS 击穿电压-最小值

20 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.9 W

第二个连接器加载的位置数

for UPS,