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TOSHIBA CORP SSM6J216FE
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SSM6J216FE
2541-SSM6J216FE
无类别的
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大陆
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SSM6J216FE详情
TOSHIBA CORP SSM6J216FE重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度（摄氏度）
未说明
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-F6
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
P-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4.8A
漏极-源极导通最大电阻
0.032Ohm
DS 击穿电压-最小值
12V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
RoHS状态
符合RoHS标准
SSM6J216FE拓展信息
公司资质
哦! 它是空的。