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TOSHIBA CORP TPH8R80ANH
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TPH8R80ANH
2541-TPH8R80ANH
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大陆
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TPH8R80ANH详情
TOSHIBA CORP TPH8R80ANH重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
5
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
JESD-30代码
S-PDSO-F5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
59A
漏极-源极导通最大电阻
0.0088Ohm
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
139A
DS 击穿电压-最小值
100V
雪崩能量等级（Eas）
79 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
TPH8R80ANH拓展信息
公司资质
哦! 它是空的。