Toshiba Semiconductor and Storage 4N32(SHORT,F)

工厂交货时间

12 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

6-DIP (0.300, 7.62mm)

引脚数

6

供应商器件包装

6-DIP

Collector-Emitter Saturation Voltage

1V

Current Transfer Ratio-Min

500% @ 10mA

Power Dissipation (Max)

250mW

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~100°C

包装

Tube

已出版

2001

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

100°C

最小工作温度

-55°C

基本部件号

4N32

电压-隔离度

2500Vrms

输出类型

带底座的达林顿

通道数量

1

功率耗散

250mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.15V

输入类型

DC

正向电流

80mA

最大输出电压

30V

每个通道的输出电流

100mA

正向电压

1.5V

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

100mA

反向击穿电压

3V

最大输入电流

80mA

最大直流驱动电流（If）

80mA

接通 / 关断时间（典型值）

5μs, 100μs (Max)

Vce 饱和度（最大值）

1V

电流传输比

500 %

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准