Toshiba Semiconductor and Storage DF2B5PCT,L3F

包装/外壳

SOD-882

安装类型

表面贴装

供应商器件包装

CST2

Product Status

活跃

厂商

东芝半导体与存储

Cd - Diode Capacitance

41 pF

Breakdown Voltage / V

3.7 V

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Vesd - Voltage ESD Contact

30 kV

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

10000

Ipp - Peak Pulse Current

27 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

590 W

Manufacturer

Toshiba

Brand

Toshiba

RoHS

Details

Vesd - Voltage ESD Air Gap

30 kV

操作温度

150°C (TJ)

系列

-

包装

MouseReel

类型

Zener

应用

通用型

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

终端样式

SMD/SMT

工作电压

3.6 V

极性

双向

通道数量

1 Channel

电源线保护

无

电压 - 击穿

3.7V

功率 - 脉冲峰值

590W

峰值脉冲电流（10/1000μs）

27A (8/20μs)

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

22V

箝位电压

22 V

电压 - 反向断态（典型值）

3.6V (Max)

产品类别

ESD抑制器

双向通道

1

电容@频率

41pF @ 1MHz

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes