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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.328351
10
¥1.253165
100
¥1.182225
500
¥1.11531
1000
¥1.052179
Toshiba Semiconductor and Storage RN1911FE,LF(CT
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- 对比
RN1911FE,LF(CT
2541-RN1911FE,LF(CT
晶体管 - 双极(BJT)- 阵列 - 预偏置
SOT-563, SOT-666
大陆
立即发货

NPN X 2 BRT, Q1BSR=10K?, Q1BER=I
--最小包装量--
¥
总价: ¥
RN1911FE,LF(CT详情
Toshiba Semiconductor and Storage RN1911FE,LF(CT重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
10 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-563, SOT-666
Current-Collector (Ic) (Max)
100mA
包装
Tape & Reel (TR)
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
功率 - 最大
100mW
晶体管类型
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
120 @ 1mA 5V
最大集极截止电流
100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
300mV @ 250μA, 5mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
50V
频率转换
250MHz
电阻基(R1)
10k Ω
RN1911FE,LF(CT拓展信息
Toshiba Semiconductor and Storage
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