Toshiba Semiconductor and Storage RN2902,LF

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

表面安装

YES

晶体管元件材料

SILICON

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

Number of Elements

2

Operating Temperature (Max.)

150°C

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2014

无铅代码

yes

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR

功率 - 最大

200mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

晶体管类型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250μA, 5mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

转换频率

200MHz

频率转换

200MHz

电阻基(R1)

10k Ω

电阻-发射极基极(R2)

10k Ω