Toshiba Semiconductor and Storage RN2909(T5L,F,T)

Name: RN2909(T5L,F,T)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2541-RN2909(T5L,F,T)
Availability: InStock
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对比

型号

RN2909(T5L,F,T)

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-RN2909(T5L,F,T)

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

封装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6

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RN2909(T5L,F,T)详情

技术参数

Toshiba Semiconductor and Storage RN2909(T5L,F,T)重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件包装

US6
Current-Collector (Ic) (Max)

100mA
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2014
零件状态

Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
功率 - 最大

200mW
晶体管类型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

70 @ 10mA 5V
最大集极截止电流

100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250μA, 5mA
电压 - 集射极击穿（最大值）

50V
频率转换

200MHz
电阻基(R1)

47kOhms
电阻-发射极基极(R2)

22kOhms

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