Toshiba Semiconductor and Storage TLP283(TP,F)

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SOIC (0.173, 4.40mm Width)

引脚数

4

供应商器件包装

4-SOP

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Current Transfer Ratio-Min

100% @ 1mA

Power Dissipation (Max)

200mW

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~100°C

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2007

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

100°C

最小工作温度

-55°C

电压-隔离度

2500Vrms

输出类型

Transistor

通道数量

1

功率耗散

200mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.15V

输入类型

DC

正向电流

50mA

最大输出电压

100V

每个通道的输出电流

50mA

正向电压

1.15V

集电极发射器电压(VCEO)

100V

最大集电极电流

50mA

反向击穿电压

5V

最大直流驱动电流（If）

50mA

电流传输比（最大）

400% @ 1mA

接通 / 关断时间（典型值）

7.5μs, 70μs

Vce 饱和度（最大值）

400mV

RoHS状态

符合RoHS标准