TT Electronics 2N5551CSM-JQR-B
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2N5551CSM-JQR-B
2577-2N5551CSM-JQR-B
集成电路(IC)
TO-92-3
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Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR SMALL SIGNAL
1最小包装量--
2N5551CSM-JQR-B详情
TT Electronics 2N5551CSM-JQR-B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
包装/外壳
TO-92-3
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
2N5551CSM-JQR-B
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
SEMELAB LTD
Part Package Code
DLCC
Package Description
SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
Risk Rank
5.64
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Transition Frequency-Nom (fT)
100 MHz
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Pd - Power Dissipation
350 mW
Transistor Polarity
NPN
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
80 at 10 mA, 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
200 mV
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Styles
通孔
Gain Bandwidth Product fT
300 MHz
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
160 V
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.21.00.95
技术
Si
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
3
JESD-30代码
R-CDSO-N3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
极性/通道类型
NPN
集电极基极电压(VCBO)
180 V
集电极电流-最大值(IC)
0.6 A
最小直流增益(hFE)
80
集电极-发射器电压-最大值
160 V
2N5551CSM-JQR-B拓展信息







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