TT Electronics 2N6796LCC4-QR-B
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2N6796LCC4-QR-B
2577-2N6796LCC4-QR-B
集成电路(IC)
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MOSFET MOSFET - POWER
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2N6796LCC4-QR-B详情
TT Electronics 2N6796LCC4-QR-B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
18
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
2N6796LCC4-QR-B
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
TT ELECTRONICS PLC
Package Description
CHIP CARRIER, R-CQCC-N18
Risk Rank
5.69
Drain Current-Max (ID)
7.4 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
CHIP CARRIER
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
ECCN 代码
EAR99
端子位置
QUAD
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-CQCC-N18
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.18 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
30 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
2N6796LCC4-QR-B拓展信息







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