TT Electronics BUZ906DP
- 收藏
- 对比
BUZ906DP
2577-BUZ906DP
集成电路(IC)
--
大陆
立即发货

Bipolar Transistors - BJT LATERAL MOSFET P-CH 200V
1最小包装量--
BUZ906DP详情
TT Electronics BUZ906DP重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
BUZ906DP
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
TT ELECTRONICS PLC
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Risk Rank
5.82
Drain Current-Max (ID)
16 A
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-264AA
DS 击穿电压-最小值
200 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
BUZ906DP拓展信息







哦! 它是空的。