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TT Electronics Resistors SML100J19

Name: SML100J19
Brand: TT Electronics Resistors
SKU: 2577-SML100J19
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SML100J19

品牌

TT Electronics Resistors

utmel 编号

2577-SML100J19

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 1000V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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SML100J19 TT Electronics Resistors Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 1000V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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SML100J19详情

技术参数

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TT Electronics Resistors SML100J19重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

4
晶体管元件材料

SILICON
Rohs Code

无
Part Life Cycle Code

不推荐
Ihs Manufacturer

TT ELECTRONICS PLC
Package Description

FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4
Drain Current-Max (ID)

19 A
Number of Elements

1
Operating Temperature-Max

150 °C
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

FLANGE MOUNT
ECCN 代码

EAR99
端子位置

UPPER
终端形式

UNSPECIFIED
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
Reach合规守则

compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明
JESD-30代码

R-PUFM-X4
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.5 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

76 A
DS 击穿电压-最小值

1000 V
雪崩能量等级（Eas）

2500 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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