SML20J97
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TT Electronics Resistors SML20J97

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型号

SML20J97

utmel 编号

2577-SML20J97

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 97A I(D), 200V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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SML20J97 TT Electronics Resistors Power Field-Effect Transistor, 97A I(D), 200V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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SML20J97详情

TT Electronics Resistors SML20J97重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    4

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    不推荐

  • Ihs Manufacturer

    TT ELECTRONICS PLC

  • Package Description

    FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4

  • Drain Current-Max (ID)

    97 A

  • Number of Elements

    1

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    FLANGE MOUNT

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    UPPER

  • 终端形式

    UNSPECIFIED

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • JESD-30代码

    R-PUFM-X4

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.022 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    338 A

  • DS 击穿电压-最小值

    200 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    2500 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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技术文档: TT Electronics Resistors SML20J97.

SML20J97拓展信息

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