BKM 6-085-12详情
TURCK BKM 6-085-12重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-3P-3, SC-65-3
供应商器件包装
TO-3PN
Package
Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
70A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
厂商
Fairchild Semiconductor
Power Dissipation (Max)
330W (Tc)
Product Status
活跃
RoHS
Compliant
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
QFET®
技术
MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
28mOhm @ 35A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
5400 pF @ 25 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
175 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
150 V
Vgs(最大值)
±25V
场效应管特性
-
BKM 6-085-12拓展信息








哦! 它是空的。