Unisonic 4N65G-E-K08-3030-R

表面安装

YES

终端数量

5

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

4N65G-E-K08-3030-R

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD

Package Description

DFN-8

Risk Rank

5.56

Drain Current-Max (ID)

4 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Turn-off Time-Max (toff)

285 ns

Turn-on Time-Max (ton)

180 ns

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-N5

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

4 A

漏极-源极导通最大电阻

2.5 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

16 A

DS 击穿电压-最小值

650 V

雪崩能量等级（Eas）

200 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

30 W

反馈上限-最大值 (Crss)

18 pF