Unisonic Technologies Co Ltd UT2316G-AE2-R
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UT2316G-AE2-R
2878-UT2316G-AE2-R
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Small Signal Field-Effect Transistor, 3.6A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236, HALOGEN AND LEAD FREE PACKAGE-3
1最小包装量--
UT2316G-AE2-R详情
Unisonic Technologies Co Ltd UT2316G-AE2-R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
Package Description
HALOGEN AND LEAD FREE PACKAGE-3
Drain Current-Max (ID)
3.6 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.95
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-236
漏极-源极导通最大电阻
0.05 Ω
DS 击穿电压-最小值
30 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
0.5 W
反馈上限-最大值 (Crss)
36 pF
环境耗散-最大值
0.5 W
UT2316G-AE2-R拓展信息
Unisonic Technologies Co Ltd
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