UPI Semiconductor Corp QM3016M3
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QM3016M3
2623-QM3016M3
晶体管 - 特殊用途
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大陆
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Power Field-Effect Transistor, 15.7A I(D), 30V, 0.004ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,
1最小包装量--
QM3016M3详情
UPI Semiconductor Corp QM3016M3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
外壳材料
1
Description
Antenna adapter - cable assembly
Cable type
RG-174U
Attenuation
0.15 dB/m
Cable jacket material
FEP fluoroplastic
Gross weight
6.56
Transport packaging size/quantity
46*32*22/1000
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
UPI SEMICONDUCTOR CORP
Package Description
SMALL OUTLINE, S-PDSO-F8
Drain Current-Max (ID)
15.7 A
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
SQUARE
Package Style
小概要
ECCN 代码
EAR99
Connector type
MMCX-P (plug)/ SMA-J (jack)
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
JESD-30代码
S-PDSO-F8
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
阻抗
50 Ohm
Cable length
150 ± 2 mm
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
Operating temperature range
-55…+85 °C
漏极-源极导通最大电阻
0.004 Ω
Frequency range
up to 6 (GSM/2G; 3G4 4G; 5G; 5.8G/433 MHz) GHz
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
160 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
317 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Cable diameter
2.80 mm
QM3016M3拓展信息







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