UT20N03G-S08-R详情
UTC UT20N03G-S08-R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
8
晶体管元件材料
SILICON
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
射频解决方案
Brand
射频解决方案
Package Description
SOP-8
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
UT20N03G-S08-R
Turn-on Time-Max (ton)
26.3 ns
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
Turn-off Time-Max (toff)
51 ns
Risk Rank
5.66
Drain Current-Max (ID)
20 A
附加功能
雪崩能源评级
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
JESD-30代码
R-PDSO-G8
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
20 A
漏极-源极导通最大电阻
0.031 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
120 A
DS 击穿电压-最小值
30 V
雪崩能量等级(Eas)
15 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
1.6 W
反馈上限-最大值 (Crss)
90 pF
环境耗散-最大值
1.6 W
产品类别
射频解决方案
达到SVHC
compliant
UT20N03G-S08-R拓展信息








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