UTC UTT10N10L-TN3-R

表面安装

NO

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-25 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

UTT10N10L-TN3-R

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Unisonic Technologies Co Ltd

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD

Risk Rank

5.11

Drain Current-Max (ID)

10 A

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

10 A

漏极-源极导通最大电阻

156 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

30 A

DS 击穿电压-最小值

100 V

雪崩能量等级（Eas）

13 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

45 W

环境耗散-最大值

45 W