UTC UTT50P06G-TN3-R

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

UTT50P06G-TN3-R

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Unisonic Technologies Co Ltd

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD

Risk Rank

5.09

Drain Current-Max (ID)

50 A

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-252

最大漏极电流 (Abs) (ID)

50 A

漏极-源极导通最大电阻

0.015 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

80 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

125 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

50 W

环境耗散-最大值

1.13 W

达到SVHC

compliant