UTC UTT75N06L-TQ2-T

表面安装

YES

终端数量

2

晶体管元件材料

SILICON

Drain Current-Max (ID)

75 A

Ihs Manufacturer

UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD

Manufacturer

Unisonic Technologies Co Ltd

Manufacturer Part Number

UTT75N06L-TQ2-T

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Part Life Cycle Code

活跃

Risk Rank

5.66

Rohs Code

有

端子位置

SINGLE

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PSSO-G2

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-263AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

75 A

漏极-源极导通最大电阻

0.037 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

150 A

DS 击穿电压-最小值

60 V

雪崩能量等级（Eas）

80 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

220 W