Vishay 1N3890R

底架

Chassis, Stud

表面安装

NO

引脚数

2

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

Operating Temperature (Min)

-65 °C

Operating Temperature (Max)

150 °C

RoHS

Compliant

Part Package Code

DO-4

Risk Rank

5.5

Forward Voltage-Max (VF)

1.4 V

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Life Cycle Code

活跃

Number of Elements

1

Manufacturer

Microsemi Corporation

Package Shape

ROUND

Manufacturer Part Number

1N3890R

Rohs Code

无

Operating Temperature-Max

175 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Min

-65 °C

Package Body Material

METAL

Package Style

POST/STUD MOUNT

Package Description

DO-4, 1 PIN

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

应用

快速恢复

HTS代码

8541.10.00.80

子类别

研磨二极管

端子位置

UPPER

终端形式

SOLDER LUG

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

参考标准

MIL

JESD-30代码

O-MUPM-D1

资历状况

不合格

极性

Reverse

配置

SINGLE

元素配置

Single

二极管类型

接收电极

箱体转运

ANODE

正向电流

12 A

输出电流-最大值

20 A

最大反向电压（DC）

100 V

平均整流电流

12 A

相位的数量

1

反向恢复时间

300 ns

峰值反向电流

25 µA

最大重复反向电压(Vrrm)

100 V

Rep Pk反向电压-最大值

100 V

JEDEC-95代码

DO-203AA

峰值非恢复性浪涌电流

180 A

最大非代表Pk前进电流

175 A

反向电流-最大值

25 µA

反向恢复时间-最大值

0.2 µs

达到SVHC

unknown

无铅

无铅