1N5224B-TR详情
Vishay 1N5224B-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
引脚数
2
Breakdown Voltage / V
2.8 V
RoHS
Compliant
Schedule B
8541100050, 8541100050|8541100050|8541100050|8541100050|8541100050
容差
5 %
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
500 mW
阻抗
30 Ω
元素配置
Single
功率耗散
500 mW
最大反向漏电电流
75 µA
测试电流
20 mA
齐纳电压
2.8 V
电压允差
5 %
齐纳电流
20 mA
辐射硬化
无
1N5224B-TR拓展信息
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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