Vishay 2 325

表面安装

YES

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Reflow Temperature-Max (s)

30

Package Style

小概要

Package Shape

RECTANGULAR

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Min

-55 °C

Operating Temperature-Max

150 °C

Number of Elements

1

Moisture Sensitivity Levels

1

Drain Current-Max (ID)

0.53 A

Samacsys Description

SI2325DS-T1-E3, P-channel MOSFET Transistor 0.53 A 150 V, 3-Pin TO-236

Risk Rank

1.7

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3

Part Package Code

SOT-23

Ihs Manufacturer

VISHAY SILICONIX

Part Life Cycle Code

活跃

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

SI2325DS-T1-E3

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

R-PDSO-G3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-236AB

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.53 A

漏极-源极导通最大电阻

1.3 Ω

DS 击穿电压-最小值

150 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.25 W