Vishay 2N6660JANTX

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Manufacturer Part Number

2N6660JANTX

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Vishay Siliconix

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

VISHAY SILICONIX

Risk Rank

7.46

Drain Current-Max (ID)

0.99 A

ECCN 代码

EAR99

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

参考标准

MIL

JESD-30代码

O-MBCY-W3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

DRAIN

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

JEDEC-95代码

TO-205AD

漏极-源极导通最大电阻

3 Ω

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

反馈上限-最大值 (Crss)

10 pF

达到SVHC

unknown