2N7000KL-TR1
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Vishay 2N7000KL-TR1

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型号

2N7000KL-TR1

品牌

Vishay

utmel 编号

2668-2N7000KL-TR1

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

2N7000KL-TR1 datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from Vishay stock available at utmel

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2N7000KL-TR1详情

Vishay 2N7000KL-TR1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    CYLINDRICAL, O-PBCY-T3

  • Package Style

    CYLINDRICAL

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    30

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    2N7000KL-TR1

  • Package Shape

    ROUND

  • Manufacturer

    Vishay Siliconix

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    VISHAY SILICONIX

  • Risk Rank

    5.62

  • Part Package Code

    TO-92

  • Drain Current-Max (ID)

    0.47 A

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn/Pb)

  • 附加功能

    逻辑电平兼容

  • HTS代码

    8541.21.00.95

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    240

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    O-PBCY-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-92

  • 漏极-源极导通最大电阻

    2 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    60 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

0个相似型号

2N7000KL-TR1拓展信息

SUM60N10-17
SI2304DS-T1
SI2308DS
SI2308DS

Vishay

SUD45P03-10
SI1029X-T1
SI1029X-T1

Vishay

TN0201T
TN0201T

Vishay

SI7423DN
SI7423DN

Vishay

SI2323DS
SI2323DS

Vishay

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