Vishay 2N7000KL-TR1-E3

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

质量

453.59237 mg

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer

VISHAY

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Turn Off Delay Time

12.8 ns

Package Description

CYLINDRICAL, O-PBCY-T3

Package Style

CYLINDRICAL

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

2N7000KL-TR1-E3

Package Shape

ROUND

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

VISHAY SILICONIX

Risk Rank

5.55

Part Package Code

TO-92

Drain Current-Max (ID)

0.47 A

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

附加功能

逻辑电平兼容

HTS代码

8541.21.00.95

最大功率耗散

400 mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

800 mW

接通延迟时间

3.8 ns

晶体管应用

SWITCHING

上升时间

4.8 ns

漏源电压 (Vdss)

70 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

200 mA

JEDEC-95代码

TO-92

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

漏极-源极导通最大电阻

2 Ω

漏源击穿电压

70 V

DS 击穿电压-最小值

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

漏源电阻

5 Ω

宽度

3.68 mm

高度

4.7 mm

长度

4.7 mm

无铅

无铅