Vishay 2N7002E-T1

表面安装

YES

引脚数

3

质量

1.437803 g

RoHS

Non-Compliant

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N7002E-T1

Manufacturer

Vishay Intertechnologies

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

VISHAY INTERTECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.28

ECCN 代码

EAR99

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-55 °C

子类别

FET 通用电源

最大功率耗散

350 mW

Reach合规守则

unknown

配置

Single

通道数量

1

元素配置

Single

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

350 mW

漏源电压 (Vdss)

60 V

极性/通道类型

N-CHANNEL

连续放电电流(ID)

240 mA

栅极至源极电压(Vgs)

20 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.24 A

漏源击穿电压

60 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

0.35 W

漏源电阻

1.8 Ω

宽度

1.4 mm

高度

1.02 mm

长度

3.04 mm