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Vishay 2SJ507

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型号

2SJ507

品牌

Vishay

utmel 编号

2668-2SJ507

商品类别

无类别的

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

2SJ507 datasheet pdf and Unclassified product details from Vishay stock available at utmel

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2SJ507 Vishay

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2SJ507详情

Vishay 2SJ507重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 触点镀层

    Tin

  • 表面安装

    NO

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Body Orientation

    直角

  • Termination Method

    IDT

  • Base/Housing Material

    Polyamide 66

  • Contact Materials

    Brass

  • Mounting

    电缆安装

  • Package Description

    CYLINDRICAL, O-PBCY-T3

  • Package Style

    CYLINDRICAL

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    2SJ507

  • Package Shape

    ROUND

  • Manufacturer

    东芝美国电子元器件

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    TOSHIBA CORP

  • Risk Rank

    5.92

  • Part Package Code

    TO-92

  • Drain Current-Max (ID)

    1 A

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • 端子表面处理

    锡铅

  • 性别

    F

  • 子类别

    其他晶体管

  • 螺距

    5.0000 mm

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • Reach合规守则

    unknown

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    O-PBCY-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 房屋颜色

    Gray

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    P-CHANNEL

  • 最大漏极电流 (Abs) (ID)

    1 A

  • 漏极-源极导通最大电阻

    1 Ω

  • DS 击穿电压-最小值

    60 V

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.9 W

  • 产品长度

    49.9 mm

0个相似型号

2SJ507拓展信息

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS