注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥0.461536
10
¥0.435412
100
¥0.410766
500
¥0.387515
1000
¥0.365579
BAS386-TR详情
Vishay BAS386-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
触点镀层
Silver, Tin
底架
表面贴装
引脚数
2
Case/Package
SMD/SMT
RoHS
Compliant
Schedule B
8541100070, 8541100070|8541100070|8541100070|8541100070|8541100070
最高工作温度
125 °C
最小工作温度
-65 °C
电容量
8 pF
元素配置
Single
正向电流
200 mA
最大反向漏电电流
5 µA
最大浪涌电流
5 A
正向电压
900 mV
最大反向电压(DC)
50 V
平均整流电流
200 mA
反向恢复时间
25 ns
峰值反向电流
5 µA
最大重复反向电压(Vrrm)
50 V
峰值非恢复性浪涌电流
5 A
反向电压
50 V
最大正向浪涌电流(Ifsm)
5 A
最大结点温度(Tj)
125 °C
高度
1.2 mm
长度
2 mm
宽度
1.2 mm
辐射硬化
无
达到SVHC
Unknown
BAS386-TR拓展信息
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division







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