BPW16N
BPW16N

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

价格梯度

内地含税价

  • 1

    ¥5.392095

  • 10

    ¥5.086881

  • 100

    ¥4.798949

  • 500

    ¥4.527305

  • 1000

    ¥4.271042

Vishay BPW16N

  • 收藏
  • 对比

型号

BPW16N

品牌

Vishay

utmel 编号

2668-BPW16N

商品类别

专用 IC

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

825 nm ±40° Sensitivity 32 V 50 mA Through Hole NPN Phototransistor - T-3/4

起订量

--最小包装量--

单价:

总价:

添加到询价列表
BPW16N
BPW16N Vishay 825 nm ±40° Sensitivity 32 V 50 mA Through Hole NPN Phototransistor - T-3/4

单价: $

合计:

库存:2000

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

BPW16N详情

Vishay BPW16N重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    通孔

  • 引脚数

    2

  • Case/Package

    Radial

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    32 V

  • Collector-Emitter Saturation Voltage

    300 mV

  • Number of Elements

    1

  • RoHS

    Compliant

  • 包装

    Bulk

  • 最高工作温度

    100 °C

  • 最小工作温度

    -40 °C

  • 最大功率耗散

    100 mW

  • 方向

    顶视图

  • 额定电流

    50 mA

  • 极性

    NPN

  • 功率耗散

    100 mW

  • 视角

    40 °

  • 镜头风格

    Clear, Flat

  • 上升时间

    4.8 µs

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    5 V

  • 最大集电极电流

    50 mA

  • 镜头颜色

    Clear

  • 消耗功率

    100 mW

  • 波长

    825 nm

  • 最大击穿电压

    32 V

  • 暗电流

    200 nA

  • 辐射硬化

  • 达到SVHC

    Unknown

  • 无铅

    无铅

0个相似型号

BPW16N拓展信息

TSOP4836
TSOP4836

Vishay

BPV11
BPV11

Vishay

TSOP38338
TSOP38338

Vishay

DG412DY
DG412DY

Vishay

DG442BDY
DG442BDY

Vishay

DG307AAK/883
DG190AP
DG190AP

Vishay

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z