BZM55C30-TR详情
Vishay BZM55C30-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
2
Breakdown Voltage / V
32 V
Case/Package
SMD/SMT
RoHS
Compliant
包装
切割胶带
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
500 mW
频率稳定性
100 ppm
阻抗
220 Ω
元素配置
Single
功率耗散
500 mW
最大反向漏电电流
100 nA
测试电流
5 mA
齐纳电压
30 V
电压允差
5 %
高度
1.2 mm
长度
2 mm
宽度
1.2 mm
辐射硬化
无
达到SVHC
Unknown
BZM55C30-TR拓展信息
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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