注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥1.640591
10
¥1.547724
100
¥1.460122
500
¥1.37747
1000
¥1.2995
BZM55C4V3-TR详情
Vishay BZM55C4V3-TR重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
引脚数
2
Breakdown Voltage / V
4.6 V
Case/Package
SMD/SMT
RoHS
Compliant
Schedule B
8541100050
包装
卷带
最高工作温度
175 °C
最小工作温度
-65 °C
最大功率耗散
500 mW
阻抗
90 Ω
元素配置
Single
功率耗散
500 mW
最大反向漏电电流
1 µA
测试电流
5 mA
齐纳电压
4.3 V
电压允差
5 %
辐射硬化
无
BZM55C4V3-TR拓展信息
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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