BZW04-85详情
Vishay BZW04-85重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
表面安装
NO
供应商器件包装
TO-220
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Package
Tube
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
28A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
厂商
Goford Semiconductor
Power Dissipation (Max)
2.5W (Tc)
Product Status
活跃
Package Description
O-PALF-W2
Package Style
长式
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-50 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
175 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
BZW04-85
Package Shape
ROUND
Manufacturer
Diotec Semiconductor AG
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
DIOTEC SEMICONDUCTOR AG
Breakdown Voltage-Nom
100 V
Risk Rank
1.61
Part Package Code
DO-15
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
-
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
瞬态抑制器
技术
MOSFET (Metal Oxide)
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
2
JESD-30代码
O-PALF-W2
资历状况
不合格
极性
UNIDIRECTIONAL
配置
SINGLE
二极管类型
跨压抑制二极管
箱体转运
ISOLATED
场效应管类型
N-Channel
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
2000 pF @ 10 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
42 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)
20 V
Vgs(最大值)
±12V
Rep Pk反向电压-最大值
85.8 V
JEDEC-95代码
DO-204AC
最大非代表峰值转速功率Dis
400 W
场效应管特性
-
击穿电压-最小值
95 V
最大箝位电压
137 V
击穿电压-最大值
105 V
BZW04-85拓展信息
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division








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