CPV364M4KPBF详情
Vishay CPV364M4KPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
表面安装
NO
引脚数
2
终端数量
13
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
VS-CPV364M4KPBF
Manufacturer
Vishay
RoHS
有
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600 V
Turn Off Delay Time
110 ns
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T13
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Turn-on Time-Nom (ton)
47 ns
Turn-off Time-Nom (toff)
250 ns
Reflow Temperature-Max (s)
40
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
6
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
INTERNATIONAL RECTIFIER CORP
Risk Rank
5.02
无铅代码
有
类型
Six-Pack
最高工作温度
150 °C
最小工作温度
-55 °C
附加功能
超快软
子类别
绝缘栅BIP晶体管
最大功率耗散
63 W
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
13
JESD-30代码
R-PSFM-T13
资历状况
不合格
配置
BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
箱体转运
ISOLATED
接通延迟时间
50 ns
晶体管应用
MOTOR CONTROL
上升时间
30 ns
极性/通道类型
N-CHANNEL
输入
Standard
集电极发射器电压(VCEO)
600 V
最大集电极电流
24 A
输入电容
1.6 nF
最大耗散功率(Abs)
63 W
集电极电流-最大值(IC)
24 A
集电极-发射器电压-最大值
600 V
NTC热敏电阻
无
栅极-发射极电压-最大值
20 V
VCEsat-最大值
2.3 V
高度(毫米)
21.97 mm
辐射硬化
无
无铅
无铅
CPV364M4KPBF拓展信息








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