DG419DY-T1-E3/BKN详情
Vishay DG419DY-T1-E3/BKN重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
通孔
包装/外壳
28-DIP (0.300, 7.62mm)
供应商器件包装
28-PDIP
Package
Tray
厂商
Renesas Electronics America Inc
Product Status
最后一次购买
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
-
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
内存大小
64Kbit
访问时间
25 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
25ns
组织的记忆
8K x 8
DG419DY-T1-E3/BKN拓展信息








哦! 它是空的。