FESB8BT-E3/31详情
Vishay FESB8BT-E3/31重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
Radial, Vertical Cylinder
表面安装
YES
供应商器件包装
Radial
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Frequency-Self-Resonant
-
Package
Bulk
Inductance Frequency-Test
1 kHz
厂商
中央技术
Product Status
活跃
Material-Core
-
Current - Saturation (Isat)
480mA
Package Description
R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
FESB8BT-E3/31
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Vishay Semiconductors
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
威世半导体
Risk Rank
5.6
Part Package Code
D2PAK
操作温度
-
系列
CTCH664F
尺寸/尺寸
0.236 Dia (6.00mm)
容差
±10%
JESD-609代码
e3
ECCN 代码
EAR99
类型
Wirewound
端子表面处理
哑光锡
应用
EFFICIENCY
附加功能
LOW LEAKAGE CURRENT, FREE WHEELING DIODE
HTS代码
8541.10.00.80
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
屏蔽/屏蔽
Unshielded
峰值回流焊温度(摄氏度)
245
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
电感,电感
150 µH
直流电阻(DCR)
640mOhm Max
二极管类型
接收电极
箱体转运
CATHODE
谐振@频率
-
输出电流-最大值
8 A
相位的数量
1
Rep Pk反向电压-最大值
100 V
JEDEC-95代码
TO-263AB
最大非代表Pk前进电流
200 A
反向恢复时间-最大值
0.035 µs
特征
-
座位高度(最大)
0.256 (6.50mm)
评级结果
-
FESB8BT-E3/31拓展信息








哦! 它是空的。