Vishay GI756-E3/51

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

2

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

RoHS

Compliant

Package Description

O-PALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Package Code

CASE P600

Operating Temperature-Min

-50 °C

Reflow Temperature-Max (s)

NOT APPLICABLE

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

GI756-E3/51

Risk Rank

5.08

Ihs Manufacturer

威世半导体

Part Life Cycle Code

Obsolete

Number of Elements

1

Manufacturer

Vishay Semiconductors

Package Shape

ROUND

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

150 °C

最小工作温度

-50 °C

应用

GENERAL PURPOSE

附加功能

FREE WHEELING DIODE, LOW LEAKAGE CURRENT

HTS代码

8541.10.00.80

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

JESD-30代码

O-PALF-W2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

元素配置

Single

二极管类型

接收电极

箱体转运

ISOLATED

最大浪涌电流

400 A

输出电流-最大值

6 A

正向电压

900 mV

平均整流电流

6 A

相位的数量

1

峰值反向电流

5 µA

最大重复反向电压(Vrrm)

600 V

Rep Pk反向电压-最大值

600 V

峰值非恢复性浪涌电流

400 A

最大非代表Pk前进电流

400 A

反向电压

600 V

恢复时间

2.5 µs

反向恢复时间-最大值

2.5 µs

辐射硬化

无

无铅

无铅