GL24T-GS08详情
Vishay GL24T-GS08重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
SOT-23
底架
表面贴装
表面安装
YES
引脚数
3
二极管元件材料
SILICON
终端数量
3
Breakdown Voltage / V
26.7 V
Reverse Stand-off Voltage
24 V
RoHS
Compliant
Package Description
R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min
-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)
10
Operating Temperature-Max
125 °C
Manufacturer Part Number
GL24T-GS08
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Vishay Semiconductors
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
威世半导体
Breakdown Voltage-Nom
26.7 V
Risk Rank
5.74
JESD-609代码
e3
终端
SMD/SMT
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn)
最高工作温度
125 °C
最小工作温度
-55 °C
HTS代码
8541.10.00.50
电容量
2.5 pF
子类别
瞬态抑制器
最大功率耗散
300 W
技术
AVALANCHE
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
工作电源电压
24 V
工作电压
24 V
极性
双向
配置
SINGLE
通道数量
1
二极管类型
跨压抑制二极管
箝位电压
55 V
最大浪涌电流
5 A
峰值脉冲功率
300 W
方向
单向
Rep Pk反向电压-最大值
24 V
最大非代表峰值转速功率Dis
300 W
击穿电压-最小值
26.7 V
最大箝位电压
55 V
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
GL24T-GS08拓展信息
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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