Vishay GS8550DU

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 week ago)

触点镀层

Tin

底架

Axial, Through Hole

表面安装

NO

质量

240.007063 mg

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Voltage, Rating

350 V

RoHS

Compliant

Package Description

CYLINDRICAL, O-PBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Operating Temperature-Max

150 °C

Rohs Code

无

Transition Frequency-Nom (fT)

100 MHz

Manufacturer Part Number

GS8550DU

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Vishay Semiconductors

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

GENERAL SEMICONDUCTOR INC

Risk Rank

5.45

Part Package Code

TO-92

包装

Bulk

容差

0.1 %

JESD-609代码

e0

无铅代码

有

终止次数

2

终端

Axial

ECCN 代码

EAR99

温度系数

25 ppm/°C

电阻

237 kΩ

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Metal Film, Thin Film

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

额定功率

250 mW

最大功率耗散

250 mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

O-PBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

弱电

Compliant

电阻数

1

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

PNP

JEDEC-95代码

TO-226AA

最大耗散功率(Abs)

0.625 W

集电极电流-最大值(IC)

0.8 A

最小直流增益（hFE）

160

集电极-发射器电压-最大值

25 V

长度

7.1882 mm

直径

2.5 mm

辐射硬化

无