IRFS11N50ATRRPBF详情
Vishay IRFS11N50ATRRPBF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
IRFS11N50ATRRPBF
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
VISHAY SILICONIX
Part Package Code
D2PAK
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Risk Rank
5.1
Drain Current-Max (ID)
11 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
40
JESD-609代码
e3
端子表面处理
哑光锡
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
Reach合规守则
compliant
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-263AB
漏极-源极导通最大电阻
0.52 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
44 A
DS 击穿电压-最小值
500 V
雪崩能量等级(Eas)
275 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
IRFS11N50ATRRPBF拓展信息
Vishay
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